Перспективный материал на замену флешкам создали в Новосибирске

Новосибирск. 18 марта. ИНТЕРФАКС - Ученые Аналитического и технологического исследовательского центра (АТИЦ) "Высокие технологии и наноструктурированные материалы" Новосибирского госуниверситета получили на основе германо-силикатных стекол перспективный материал для создания элементов памяти нового поколения, говорится в сообщении НГУ.

Результаты опубликованы в научном журнале первого квартиля Applied Physics Letters.

"Германо-силикатные стекла с таким составом кроме нас пока не исследовал никто, а мы хотели бы получить в перспективе из данного материала современные элементы памяти, которые превосходили бы привычную нам флеш-память (Flash USB drive) по количеству циклов перезаписи, долговечности, эффективности и надежности", - отмечает научный сотрудник Лаборатории функциональной диагностики низкоразмерных структур для наноэлектроники АТИЦ Иван Юшков.

Ранее ученые НГУ впервые в мире обнаружили эффект памяти в структурах "металл-диэлектрик-проводник" (МДП) на основе германо-силикатных стекол.

Ученые вырастили пленки четырех составов с разными соотношениями оксидов германия и кремния, а затем изготовили специальные МДП-структуры (металл-диэлектрик-полупроводник) с очень тонким слоем германо-силикатного стекла и приступили к проведению температурных исследований вольтамперных характеристик - зависимости тока от напряжения.

Исследования проводились в определенном температурном диапазоне - от комнатной температуры до 102C, что соответствует рабочим температурам мемристоров, определяя с помощью одной из моделей электрической проводимости ("ток, ограниченный пространственным зарядом", ТОПЗ), определили энергию и концентрацию ловушек, участвующих в транспорте заряда.

Отмечается, что с помощью модели ТОПЗ исследователи могут определить параметры мемристора теоретически, не выращивая наноструктуру, либо по крайней мере регулировать параметры относительно выращиваемого слоистого образца.

В настоящее время, говорится в сообщении, достигнуто максимальное количество циклов перезаписи флеш-памяти, максимальная продолжительность использования, максимальные объемы по емкости на один элемент, поэтому для улучшения параметров памяти электронных устройств необходимы элементы нового типа. Мемристоры, представляющие собой структуру металл-диэлектрик-металл, в которой тонкий слой диэлектрика обратимо меняет сопротивление при подаче переключающего импульса напряжения, позволяют на порядки увеличить количество циклов перезаписи и их длительность по сравнению с флеш-памятью.