Томск. 25 мая. ИНТЕРФАКС-СИБИРЬ - Российская корпорация нанотехнологий ("Роснано"), компания "Микран" (Томск) и новосибирский Институт физики полупроводников продолжат подготовку проекта производства в Томске электронной компонентной базы СВЧ-диапазона на основе GaAs-технологий (арсенид-галлиевые технологии) для систем телекоммуникаций и радиолокации.
"Этот проект прорабатывался нами. К сожалению, он пока не получил поддержки наблюдательного совета ("Роснано" - ИФ). Тем не менее, мы работаем над его реструктуризацией. Мы надеемся на то, что мы получим поддержку", - сказал глава Российской корпорации нанотехнологий Анатолий Чубайс журналистам.
А.Чубайс подчеркнул, что "Роснано" готово не просто "поддерживать, а вкладывать в этот проект миллиарды рублей", так как, по его словам, "речь идет об абсолютно уникальном проекте для российской