Новосибирск. 29 августа. ИНТЕРФАКС-СИБИРЬ - Ученые Института физики полупроводников им.А.В. Ржанова (ИФП, Новосибирск) разработали устройства для хранения информации (флеш-память) на основе графена, сообщает издание Сибирского отделения Ран "Наука в Сибири".
"Флеш-память с использованием мультиграфена (нескольких слоев графена - ИФ) по быстродействию и времени хранения информации может превосходить аналоги, основанные на других материалах", - говорится в сообщении.
Принцип действия флеш-памяти основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде, в данном случае - мультиграфене.
Исследования показали, что мультиграфен позволяет дольше хранить заряд, а следовательно, и записанную информацию, чем традиционно применяемый кремний, что дает возможность оптимизировать геометрию флеш-памяти, повышая ее быстродействие в два - три раза.
В то же время, отмечает старший научный сотрудник ИФП Юрий Новиков, говорить о масштабном производстве флеш-памяти на основе мультиграфена пока рано.
"На данный момент мы занимаемся только фундаментальными исследованиями. Конечно, опытные образцы существуют, и с ними интенсивно работают, но для коммерческого применения, скажем в России, требуется завод с современными технологиями. Стоить он будет около $5 млрд", - сообщил ученый.