Перспективный материал для фотодетекторов выявили новосибирские ученые

Новосибирск. 10 ноября. ИНТЕРФАКС - Специалисты Аналитического и технологического исследовательского центра (АТИЦ) "Высокие технологии и наноструктурированные материалы" Новосибирского госуниверситета впервые в мире определили тип проводимости в германо-силикатных стеклах, которые можно применять для изготовления фоточувствительных МДП-структур (структур металл-диэлектрик-полупроводник), сообщает пресс-служба НГУ.

Ранее ученые получили в них эффект очень хорошей фоточувствительности, что важно в их приложении для технического зрения, светочувствительных датчиков и мемристоров, и решили объяснить механизм его возникновения.

Ученые использовали классический метод неравновесного обеднения при инжекции неосновных носителей заряда из подложки в диэлектрик в МДП-структуре, при котором исследуются вольтамперные характеристики (ВАХ) и вольтфарадные характеристики (ВФХ) образцов в темноте и при освещении.

Исследованию подверглись четыре состава образцов, выращенных на разных кремниевых подложках - n-типа с электронным типом проводимости и p-типа c дырочным типом проводимости, всего было исследовано восемь образцов.

Авторы работы изменяли в составе пленок соотношение между оксидом германия и оксидом кремния.

Ученые выяснили, что германо-силикатные стекла имеют биполярную проводимость, в которой могут участвовать и электроны, и "дырки".

С помощью метода неравновесного обеднения при инжекции неосновных носителей заряда и анализа фото-ЭДС (электродвижущей силы, которая возникает в полупроводниках под воздействием света) МДП-структуры на основе германо-силикатных пленок были исследованы в темноте и с подсветкой.

В итоге ученые сделали вывод, что пленки германо-силикатных стекол различного состава обладают биполярным типом проводимости.

В дальнейшем ученые намерены сконцентрироваться на улучшении фоточувствительности исследуемых ими МДП-структур. Результаты данных исследований найдут применение при создании фотодетекторов на основе МДП-структур без pn-перехода.

"На сегодняшний день доступные на рынке варианты фоточувствительных устройств функционируют на основе pn-перехода, но фоточувствительные приборы без данного перехода будет менее дорогими и более простыми в изготовлении", - говорится в сообщении.

Как сообщалось, ранее в АТИЦ "Высокие технологии и наноструктурированные материалы" НГУ впервые в мире обнаружили эффект памяти в структурах "металл-диэлектрик-проводник" (МДП) на основе германо-силикатных стекол, которые могут стать перспективным материалом для создания элементов памяти нового поколения, которые превосходили бы привычную нам флеш-память (Flash USB drive).