Перспективный материал для гибкой электроники разработали в Новосибирске

Новосибирск. 7 декабря. ИНТЕРФАКС-СИБИРЬ - Ученые Института физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН (ИФП) обнаружили новые свойства тонких пленок селенида висмута, перспективных для электроники, сообщает пресс-служба ИФП.

Многослойные наноструктуры на основе селенида висмута (Bi2Se3) и графена могут использоваться для гибкой и носимой электроники.

"Ученые синтезировали тонкие слои селенида висмута на графене и обнаружили изменение механических свойств пленок селенида висмута: повысилась устойчивость к деформации - растяжении при изгибе, и, при этом, сохранилась высокая проводимость", - говорится в сообщении.

Отмечается, что селенид висмута толщиной 20-40 нанометров, осажденный из газовой фазы на графене, можно согнуть до формирования прямого угла, и электрофизические характеристики материала сохранятся.

"Пленки селенида висмута, осажденные на графене (в сравнении с пленками, выращенными на слюде и перенесенными на гибкую подложку) - более качественные, с низкой дефектностью, с хорошей границей раздела между слоями графена и селенида висмута", - отмечается в сообщении.

Кроме того, пленки, выращенные на графене, обладают хорошей проводимостью, высокой подвижностью носителей заряда.

Также материал перспективен для гибкой спинтроники - устройств, основанных на управлении спином электрона, то есть, его собственным моментом импульса, который не зависит от движения частицы и может либо совпадать с направлением магнитного поля, либо быть разнонаправленным по отношению к нему.

Кроме того, в ИФП создают композиты для печатной электроники - использование специальных чернил позволяет напечатать на 2D принтере гибкие платы.

"Ученые научились управлять проводимостью в слоях графена, добавляя в состав композитных чернил небольшие количества полимера и этиленгликоля", - говорится в сообщении.

Работа проводится в рамках крупного научного проекта "Квантовые структуры для посткремниевой электроники".