Новосибирск. 10 октября. ИНТЕРФАКС-СИБИРЬ - Ученые Института физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН (ИФП) обнаружили необычный эффект при формировании квантовых точек в слое нитрида галлия, сообщает пресс-служба ИФП.
Нитрид галлия (GaN) выделяется среди материалов, на основе которых синтезируют квантовые точки: на его основе можно создавать светоизлучающие приборы глубокого ультрафиолетового диапазона, а также источники одиночных фотонов, работающие при комнатной температуре.
Для традиционных источников одиночных фотонов требуется охлаждение до криогенных температур, уточняется в сообщении.
"Мы выяснили, что формирование нитрид-галлиевых квантовых точек (GaN) происходит нетипичным образом. Чтобы объяснить этот механизм, мы разработали качественную кинетическую модель, которая позволила описать механизмы формирования квантовых точек GaN. Более того, на основе модели мы предложили, а после (в экспериментах) впервые обнаружили необычный эффект обратимости формирования квантовых точек GaN: тонкий слой нитрида галлия без квантовых точек преобразуется в материал с квантовыми точками, а затем можно провести обратное преобразование", - рассказал научный сотрудник ИФП Ян Майдебура.
По его словам, модель также предусматривает способ контролируемого создания квантовых точек, что важно для практических применений.
Квантовая точка - ее еще называют искусственным атомом - фрагмент полупроводника, в котором электроны находятся в потенциальной яме -"заперты" и не могут свободно двигаться по всему кристаллу. Свойства квантовых точек зависят от их размеров.
