Новосибирск. 15 марта. ИНТЕРФАКС-СИБИРЬ - Международный коллектив ученых разработал новый подход к обработке тонких полупроводниковых слоев кремния и германия при помощи лазерных импульсов, ообщает идание Сибирского отделения РАН "Наука в Сибири".
"Подобная технология может существенно повысить эффективность солнечных элементов и успешно применяться в области гибкой электроники", - говорится в сообщении.
Отмечается, что с системой кремний-германий в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (ИФП, Новосибирск) работают с начала 1990-х годов.
В этой работе ученые ИФП задействовали технологию плазмохимического осаждения с последующим импульсным лазерным воздействием, при котором кристаллизации подвергались только слои германия, а слои кремния оставались аморфными (некристаллическими).
Благодаря такой селективности можно значительно поднять надежность и качество тонкопленочных модулей солнечных элементов и электронных устройств с гибкими дисплеями.
Для получения таких пленок ученые использовали низкотемпературный отжиг (ниже 120 °С) с применением лазеров с пико- (одной триллионной долей) и фемтосекундной (в тысячу раз меньшей одной триллионной доли секунды) длительностью импульсов с длиной волн 1030 нм и 1 500 нм соответственно.
Кремниевые и германиевые аморфные слои получили в Ярославском филиале Физико-технологического института РАН (ФТИАН) по технологии плазменно-химического осаждения из газовой фазы, в дальнейшем в ИФП планируют освоить получение пленок германия у себя.
Результаты были достигнуты благодаря международному сотрудничеству со специалистами из Чехии (Института физики Академии наук Чешской Республики), Германии и при участии китайских магистрантов, обучающихся в Новосибирском госуниверситете.
