Новосибирск. 2 октября. ИНТЕРФАКС - АО "Экран-оптические системы" ("ЭОС", входит в "РАТМ Холдинг") запустило первое в России промышленное производство необходимых для микроэлектроники наногетероструктур на основе арсенида галлия (GaAs), сообщила пресс-служба РАТМ Холдинга в среду.
Как пояснил генеральный директор АО "Экран-оптические системы" Андрей Гугучкин, наногетероструктуры GaAs относятся к категории сверхпроводников с частотой более 2 ГГц. Они необходимы для сотовых телефонов, мобильных сетей 5G, телекоммуникационной техники, преобразователей сигналов, усилителей мощности, транзисторов, солнечных панелей космических аппаратов, фотоприемников, индикаторов, дисплеев, оптоэлектроники и много другого.
"ЭОС" стало единственным предприятием в России, которое уже готово поставлять заказчикам пластины GaAs для пассивных и активных устройств электронно-компонентной базы (ЭКБ) - сейчас их, в основном, импортируют из Тайваня, Китая и Южной Кореи.
Инвестиции в запуск нового производства составили 350 млн рублей. Это как собственные средства акционера, так и заемные.
Установка молекулярно-лучевой эпитаксии, на которой производятся пластины, размещена на площадке Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН. Производительность установки - до 10 тыс. пластин GaAs в год.
"При поддержке ученых мы можем предложить как стандартизированные варианты напыления подложки, так и специальные решения, выполненные под заказ", - приводит пресс-служба слова Гугучкина.
Он добавил, что, наладив выпуск пластин GaAs, компания завершила первый этап реализации масштабного проекта по созданию единственного в России промышленного производства полупроводниковых гетероструктур соединений A3B5 (бинарные соединения элементов III и V групп периодической системы, являющиеся полупроводниками - ИФ) и приборов на их основе. Весь проект рассчитан до 2023 года.
"ЭКБ на базе технологий арсенида галлия обеспечивает мощность 1-2 Вт, а с использованием нитрида галлия (GaN) этот показатель увеличивается в разы - до 20-25 Вт. Потому на втором этапе планируем изготавливать пластины GaN, для чего потребуется 750-900 млн рублей; на третьем - ЭКБ на основе GaN и GaAs для силовой электроники, необходимый объем вложений - примерно 1 млрд рублей", - сказал Гугучкин.
Объем выпускаемых изделий в денежном выражении при достижении показателей первого этапа составит 350-400 млн рублей в год, второго этапа - до 1,2-1,5 млрд рублей; третьего - до 3 млрд рублей.
АО "Экран-оптические системы" выпускает фотоэлектронные умножители и электронно-оптические преобразователи. Приборы компании работают на астрофизических полигонах Италии, Франции, США, а также в Баксанской нейтринной обсерватории; они установлены на российских космических аппаратах, а также американских станциях WIND-1 и WIND-2. За последние 15 лет доля экспортируемой продукции выросла с нуля до 95%.
В "РАТМ Холдинг" также входят АО "Завод "Экран", ООО "Сибирское стекло", Ростовский оптико-механический завод, московское НПО "Гидромаш", "Катайский насосный завод", УК "Ломоносов Капитал", ряд девелоперских активов.