Томский "Микран" в 2013г намерен ввести в эксплуатацию завод радиоэлектронной аппаратуры

Томск. 18 января. ИНТЕРФАКС-СИБИРЬ - ЗАО "Научно-производственная фирма "Микран" во втором квартале 2013 года планирует ввести в эксплуатацию завод по производству радиоэлектронной аппаратуры, сообщили агентству "Интерфакс-Сибирь" в пресс-службе предприятия.

"Мы не планируем менять ассортимент продукции, но рассчитываем нарастить объемы имеющегося производства в 3-5 раз", - подчеркнул собеседник агентства.

Ранее руководство компании сообщало, что на заводе будет разрабатываться и производиться радиоэлектронная аппаратура, в частности, телекоммуникационная аппаратура, измерительная техника и радиолокационные комплексы. В новых помещениях общей площадью 14 тыс. кв. м будут сконцентрированы 70% мощностей радиоэлектронного производства, которые пока располагаются на трех городских площадках.

Предполагалось, что завод будет построен весной 2012 года, в строительство здания было вложено около 1 млрд рублей, из которых 600 млн рублей - собственные средства "Микрана", еще 400 млн рублей были привлечены в Номос-банке на 7 лет.

Сотрудник пресс-службы уточнил, что завод по производству радиоэлектронной аппаратуры станет пятой базовой площадкой НПФ "Микран". В 2012 году компания открыла производство мобильных комплексов связи "МИК-МКС" для нужд Минобороны РФ в деревне Петрово Томского района Томской области.

"Производство способно обеспечивать выпуск более 100 комплексов в год, а также может быть оперативно масштабировано на гораздо большие объемы", - отметил представитель компании.

Также компания имеет две площадки, на которых базируются департамент СВЧ и научно-производственный комплекс "Микроэлектроника".

Кроме того, "Микран" участвует в СП с Nokia Siemens Networks - ООО "Центр беспроводных технологий", которое занимается разработкой базовых станций для сетей 4G на площадке Томской ОЭЗ.

Действующие производства "Микрана" занимают площадь 12,5 тыс. кв. м.

НПФ "Микран" специализируется на разработке и производстве телекоммуникационной аппаратуры, производстве модулей и узлов СВЧ-диапазона, производстве контрольно-измерительных приборов СВЧ-диапазона и аксессуаров СВЧ-тракта, производстве монолитных интегральных GaAs функциональных элементов сантиметрового и миллиметрового диапазона, производстве радиолокационного оборудования.